Pastāsti draugiem par šo preci:
Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si Sonia Kaschieva
Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si
Sonia Kaschieva
Badano generowanie defektu radiacyjnego przez napromieniowanie elektronami MeV o wysokiej energii struktury n- i p- typu Si-SiO2 ró?nymi rodzajami tlenków. Zmiany morfologiczne tlenku Si-SiO2 podczas napromieniania elektronami MeV obserwowano za pomoc? AFM. Przedstawiono zaimplantowane struktury Si-SiO2 z jonu Si+ przed i po na?wietlaniu elektronami MeV. Redystrybucj? atomów tlenu i krzemu oraz generacj? nanokrysztalów Si podczas napromieniania elektronów MeV obserwowano odpowiednio za pomoc? technik RBS/C i AFM. Przeprowadzono równie? badania wla?ciwo?ci optycznych, fotoluminescencji i spektroskopowe na?wietlanych elektronami MeV folii SiOx.
| Mediji | Grāmatas Paperback Book (Grāmata ar mīksto vāku un līmēto muguru) |
| Izlaists | 2020. gada 21. maijs |
| ISBN13 | 9786200995773 |
| Izdevēji | Wydawnictwo Nasza Wiedza |
| Lapas | 172 |
| Izmēri | 152 × 229 × 10 mm · 274 g |
| Valoda | Poļu |