Ramirez Velasquez Iliana Maria

Modelo De Los Efectos De La Radiacion Laser Sobre Heteroestructuras Semiconductoras Ramirez Velasquez Iliana Maria

Publisher Marketing: En particular, el estudio se enfoca en un modelo matematico, que representa el control del Factor de Lande electronico de una heteroestructura semiconductora de GaAs/GaAl/As. La no parabolicidad y la anisotropia de las bandas de conduccion y de valencia se consideran mediante la utilizacion del Hamiltoniano de Ogg-McCombe, al respecto se han reportado trabajos previos del director del proyecto, y son el punto de partida para considerar las propiedades del factor de Lande del sistema como funcion del campo magnetico variable aplicado y resultados del estudio de un sistema de muchos cuerpos."