Rahman Bakhyshov

Termodynamiczna analiza procesow wzrostu warstwy epitaksjalnej Rahman Bakhyshov

Niniejsza praca jest po?wi?cona analizie termodynamicznej procesów fizykochemicznych wzrostu warstw epitaksjalnych zwi?zku pólprzewodnikowego Ga2Se3 z fazy gazowej w ukladzie przeplywowym Ga - Se - Cl - H oraz modelowaniu procesów technologicznych w celu prognozowania mo?liwych wariantów technologicznych i okre?lenia optymalnych warunków syntezy tego zwi?zku. Podano wyniki bada? nad definiowaniem i obliczaniem parametrów termodynamicznych poszczególnych substancji systemu Ga - Se - Cl - H, do wykorzystania przy termodynamicznym modelowaniu procesów wzrostu warstw epitaksjalnych Ga2Se3 z fazy gazowej. Zbadano zwi?zek pomi?dzy zmiennymi termodynamicznymi a parametrami technologicznymi procesu syntezy Ga2Se3 w reaktorze typu otwartego z oddzielnymi ?ródlami galu i selenu. Zilustrowano schemat obliczenia parametrów technologicznych procesu narastania warstw epitaksjalnych Ga2Se3 w ukladzie transportu gazu przeplywowego z wydzielonymi ?ródlami galu i selenu.