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Elaboration Des Nitrures De Gallium Avec Traitement Si/n: Application Aux Diodes Electroluminescentes Zohra Benzarti French edition
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Elaboration Des Nitrures De Gallium Avec Traitement Si/n: Application Aux Diodes Electroluminescentes
Zohra Benzarti
Le traitement Si/N, lors de l'élaboration du GaN à haute température et à pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique, électrique, structurale et optique. Le mode de croissance observé est un passage de 3D à 2D au cours de l'épaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi à une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.
| Mediji | Grāmatas Paperback Book (Grāmata ar mīksto vāku un līmēto muguru) |
| Izlaists | 2018. gada 28. februāris |
| ISBN13 | 9786131597275 |
| Izdevēji | Editions universitaires europeennes |
| Lapas | 160 |
| Izmēri | 150 × 9 × 226 mm · 244 g |
| Valoda | Franču |
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