Thomas Zimmer

Contribution a La Modelisation Des Tbh Si/sige en Temperature: Contribution a La Modelisation Des Transistors Bipolaires a Heterojonction Si/sige en Temperature Thomas Zimmer French edition

La prise en compte de l?effet de la température et en particulier de l?auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L?utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d?être exposées à différentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation précise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l?auto-échauffement, caractérisé par une élévation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin qu?il soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en ?uvre. Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiée.