Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties - Engineering Materials - Hamid Bentarzi - Grāmatas - Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm - 9783642266881 - 2013. gada 25. februāris
Ja vāks un nosaukums nesakrīt, pareizs ir nosaukums

Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties - Engineering Materials 2011 edition

Cena
€ 119,49

Pasūtīts no attālās noliktavas

Paredzamā piegāde . gada 28. aug. - . gada 11. sept.
Saņemiet paziņojumus par jauniem Hamid Bentarzi izdevumiem
Pievienot savam iMusic vēlmju sarakstam

Not rated yet

Pieejams arī kā:

This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure.


120 pages, 10 black & white tables, biography

Mediji Grāmatas     Paperback Book   (Grāmata ar mīksto vāku un līmēto muguru)
Izlaists 2013. gada 25. februāris
ISBN13 9783642266881
Izdevēji Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm
Lapas 106
Izmēri 155 × 235 × 6 mm   ·   176 g
Valoda Angļu  

Vairāk no tā paša izdevēja