Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics - Koichiro Ishibashi - Grāmatas - Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm - 9783642195679 - 2011. gada 18. augusts
Ja vāks un nosaukums nesakrīt, pareizs ir nosaukums

Koichiro Ishibashi
Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics 2011 edition

Cena
€ 103,49

Pasūtīts no attālās noliktavas

Paredzamā piegāde . gada 10. - 18. aug.
Saņemiet paziņojumus par jauniem Koichiro Ishibashi izdevumiem

Mūsu klienti saka:

14 dienu atgriešanas politika saskaņā ar Eiropas patērētāju tiesību aizsardzības likumu
Top vieta Trustpilot
Pievienot savam iMusic vēlmju sarakstam

Not rated yet

Pieejams arī kā:

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

310 pages, biography

Mediji Grāmatas     Hardcover Book   (Grāmata ar cieto muguriņu un vāku)
Izlaists 2011. gada 18. augusts
ISBN13 9783642195679
Izdevēji Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm
Žanrs Aspects (Academic) > Science / Technology Aspects
Lapas 144
Izmēri 155 × 235 × 13 mm   ·   362 g
Valoda Franču  
Redaktors Ishibashi, Koichiro
Redaktors Osada, Kenichi

Vairāk no tā paša izdevēja

Skatīt visus Koichiro Ishibashi ( piem., Hardcover Book un Paperback Book )