GaP Heteroepitaxy on Si (100): Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients - Springer Theses - Henning Doescher - Grāmatas - Springer International Publishing AG - 9783319379555 - 2016. gada 3. septembris
Ja vāks un nosaukums nesakrīt, pareizs ir nosaukums

GaP Heteroepitaxy on Si (100): Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients - Springer Theses Softcover reprint of the original 1st ed. 2013 edition

Cena
€ 103,49

Pasūtīts no attālās noliktavas

Paredzamā piegāde . gada 27. okt. - . gada 4. nov.
Saņemiet paziņojumus par jauniem Henning Doescher izdevumiem
Pievienot savam iMusic vēlmju sarakstam

Not rated yet

Epitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates has been desired over decades for high application potential in microelectronics, photovoltaics, and beyond. The hydrogen-based process ambient enables the preparation of anomalous double-layer step structures on Si(100), highly beneficial for subsequent III-V integration.


157 pages, 47 black & white illustrations, 33 colour illustrations, biography

Mediji Grāmatas     Paperback Book   (Grāmata ar mīksto vāku un līmēto muguru)
Izlaists 2016. gada 3. septembris
ISBN13 9783319379555
Izdevēji Springer International Publishing AG
Lapas 143
Izmēri 155 × 235 × 9 mm   ·   231 g
Valoda Vācu  

Vairāk no tā paša izdevēja