Pastāsti draugiem par šo preci:
Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies 1. izdevums
Cena
€ 83,49
Pasūtīts no attālās noliktavas
Paredzamā piegāde . gada 23. jūl. - . gada 6. aug.
Mūsu klienti saka:
Pievienot savam iMusic vēlmju sarakstam
Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies
The book covers III-V high electron mobility transistors (HEMT) and their basic physics, materials, fabrication, reliability, modeling and simulation with detailed DC, RF and breakdown performances of high electron mobility transistors, with reference to AlGaN/GaN HEMTs, MoS HEMT, InP HEMTs and DG-HEMTs.
430 pages
| Mediji | Grāmatas Paperback Book (Grāmata ar mīksto vāku un līmēto muguru) |
| Izlaists | 2020. gada 18. decembris |
| ISBN13 | 9780367729240 |
| Izdevēji | Taylor & Francis Ltd |
| Lapas | 444 |
| Izmēri | 150 × 220 × 10 mm · 775 g |
| Valoda | Angļu |
| Redaktors | Ajayan, J. |
| Redaktors | Nirmal, D. |
