Stress and Strain Engineering at Nanoscale in Semiconductor Devices - Maiti, Chinmay K. (SOA University Bhubaneswar, Odisha, India) - Grāmatas - Taylor & Francis Ltd - 9780367519339 - 2023. gada 25. septembris
Ja vāks un nosaukums nesakrīt, pareizs ir nosaukums

Stress and Strain Engineering at Nanoscale in Semiconductor Devices

Cena
€ 94,99

Pasūtīts no attālās noliktavas

Paredzamā piegāde . gada 17. nov. - . gada 1. dec.
Ziemassvētku dāvanas var atgriezt līdz 31. janvārim
Saņemiet paziņojumus par jauniem Maiti, Chinmay K. (SOA University Bhubaneswar, Odisha, India) izdevumiem
Pievienot savam iMusic vēlmju sarakstam

Not rated yet

Pieejams arī kā:

Based on 3D process and device simulations with mechanical stress simulations by finite element techniques, this book explains performance assessment of nanoscale devices with strained SiGe and other stressors. It explains the process-induced stress transfer and developments at 7nm technology and below node in the area of strain-engineered devices.


260 pages, 23 Tables, black and white; 136 Line drawings, black and white; 3 Halftones, black and wh

Mediji Grāmatas     Paperback Book   (Grāmata ar mīksto vāku un līmēto muguru)
Izlaists 2023. gada 25. septembris
ISBN13 9780367519339
Izdevēji Taylor & Francis Ltd
Lapas 260
Izmēri 150 × 220 × 10 mm   ·   220 g
Valoda Angļu  

Vairāk no tā paša izdevēja